Universidad Complutense de Madrid. Madrid (Spain)
March 1st, 2001
Summary:
En esta tesis estudiamos dos procesos de crecimiento fuera del equilibrio, el crecimiento limitado por difusión (en particular el crecimiento de depósitos electroquímicos y de depósitos de vapor químico), y la cristalización de películas delgadas. En el primer caso estudiamos la influencia de los diferentes mecanismos de transporte involucrados en el crecimiento de los depósitos por medio de un modelo de Monte Carlo basado en el paradigmático modelo Diffusion-Limited aggregation. Asimismo presentamos un modelo genérico de crecimiento limitado por difusión que unifica los dos sistemas bajo consideración. A partir de este modelo obtenemos una ecuación diferencial estocástica no lineal que describe la evolución de la superficie del agregado, y que permite analizar el comportamiento a tiempos largos de la misma. En la segunda parte de la tesis, la dedicada a la cristalización de películas delgadas, introducimos también un modelo de Monte Carlo que permite estudiar la influencia que tienen sobre la nucleación la presencia de centros de preferentes asociados a orden preexistente en la fase amorfa o imperfecciones, y aportamos una serie de criterios que permiten determinar las condiciones de nucleación, homogénea o heterogénea, en un experimento. Por último aplicamos una variante de la ecuación de Ginzburg-Landau para estudiar la rugosidad de los granos, y la influencia del ruido correlacionado sobre el producto resultante de la cristalización.
Descriptors: Physics, Surfaces, Salid state physics, Statistical mechanics
Citation:
M. Castro (2001), Mecánica estadística y aplicación de modelos de procesos de crecimiento. Universidad Complutense de Madrid. Madrid (Spain).
